【资料图】
集微网报道，4月20日，扬杰科技发布关于签署6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同的公告。
据披露，因扬杰科技战略发展需要，公司于2023年4月18日与扬州市邗江区人民政府签署了《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，公司拟在扬州市邗江区人民政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元，分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片/月。
扬杰科技表示，作为第三代半导体材料的核心，碳化硅与传统的硅半导体相比，具有宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽车、工业、IT及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力，未来前景广阔。近年来，在全球“碳达峰、碳中和”的大背景下，新能源汽车、光伏等市场景气度高企，对碳化硅产品的市场需求日益强烈，驱动碳化硅器件加速导入和发展，进一步打开了碳化硅的市场空间。
扬杰科技指出，公司较早地布局了第三代半导体产业，已涉足碳化硅产品研发设计多年，形成了多项专利等知识产权，已成功开发并向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品，SiC Mosfet已取得关键性进展，后续拟进一步布局6-8英寸碳化硅芯片生产线建设。若本次合作框架合同能实施落地，有利于充分发挥公司的技术研发、运营管理及客户资源等核心优势，及扬州产业支持政策、区位条件等优势，帮助公司抓住碳化硅市场发展的良好机遇，加速提升公司碳化硅产品的技术水平和实现产品升级，有助于将公司打造成为碳化硅领域具有行业影响力的上市公司，推动公司积极转型升级向高端制造业迈进，为功率器件国产化贡献力量。
